Forschungseinheitenprofil

TU-Wien > Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik >Institut für Mikroelektronik

E360

Institut für Mikroelektronik

Leitung Univ.Prof. Dipl.-Ing. Dr.techn. Tibor Grasser

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Adresse

Webseite http://www.iue.tuwien.ac.at/

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Leitbild (Deutsch) Das Institut für Mikroelektronik beschäftigt sich mit der Modellierung, Simulation und Analyse von Halbleiterbauelementen und deren Herstellungsprozessen. Dafür wurde ein umfangreiches Wissen über numerische Lösungsverfahren verschiedener partieller Differentialgleichungen (Poissongleichung, Kontinuitätsgleichung, Diffusionsgleichung, u.a.m.) aufgebaut.
Dieses Wissen wurde in der Realisierung verschiedener Simulationsprogramme umgesetzt. Diese Programme werden in Forschungslaboratorien in aller Welt verwendet. Ein Schwerpunkt der Institutstätigkeit ist die Weiterentwicklung dieser Softwareprodukte. Heute treten Probleme wie das Verbinden von Simulatoren verschiedener Hersteller in den Vordergrund, sowie Simulation nicht planarer Strukturen, Mehrschicht- und Heterostrukturen, aber auch Modelle, die wegen der ständig wachsenden Rechnerkapazität heute in Angriff genommen werden können.
Das Institut verfügt über eine eigene leistungsfähige Rechnerausstattung und über gute Kontakte zu Forschungslaboratorien in- und ausländischer Halbleiterhersteller.

Leitbild (Englisch) The Institute for Microelectronics researches in modelling, simulation and analysis of semiconductor devices and process technology. For this purpose, substantial knowledge on numerical methods for solving partial differential equations (Poisson equation, continuity equation, diffusion equation, etc.) has been established.

Based on this knowledge software tools have been and are further developed which are worldwide used by semiconductor research labs.

The institute disposes of a powerful computer infrastructure and is involved in several national, european and international research projects.

Webseite http://www.iue.tuwien.ac.at/

Forschungsbereiche

Name
Forschungsbereich Mikroelektronik
Services des Instituts

Personen

Titel	Nachname	Vorname
BSc	Antoneanu	Silvia-Cezarina
Projektass(fr.DV)	Ballicchia	Mauro
Ao.Univ.Prof.i.R. Dipl.-Ing. Dr.techn.	Langer	Erasmus
Mag.rer.nat.	Meller	Gregor
MSc M.A.	Pop	Diana Vasilica
Privatdoz. Dr.techn. MSc	Pourfath	Mahdi
Univ.Doz. Dipl.-Ing. Dr.techn.	Puchner	Helmut
Privatdoz. Dipl.-Phys. Dr.	Quay	Rüdiger
Univ.Lektor Dipl.-Ing. Dr.techn.	Stadler	Michael
ARätin	Winkler	Renate

Fachgebiete nach Statistik Austria

Code	Fachgebiet(Deutsch)	Fachgebiet(Englisch)
1229	Halbleiterphysik	Semiconductor physics
2521	Mikroelektronik	Microelectronics
2517	Halbleitertechnologie	Semiconductor technology
2524	Physikalische Elektronik	Physical electronics
2939	Computerunterstützte Simulation	Computer-aided simulation

Schlagwörter

Schlagwort (Deutsch)	Schlagwort (Englisch)
TCAD	TCAD
Technologie-CAD	Technology CAD
Modellierung und Simulation von Halbleiter-Bauelementen und -Prozessen	Modeling and simulation of semiconductor devices and processes
Softwaretechnologie	Software technology
Entwurf von Halbleiterbauelementen	Design of semiconductor devices

Gäste

Kategorie	Vorname	Nachname	Land	Von	Bis
Gastforscher/in	Valentin	Yuferev		19/11/2007	23/11/2007
Gastvortragende/r	Sergey	Vainshtein		19/11/2007	23/11/2007

F&E Aktivitäten

Beschreibung	Von	Bis
vom Institut organisierte wissenschaftliche Tagung/Konferenz/Symposium			Anzahl der Teilnehmer	Reichweite
IWCE 2006 - International Workshop on Computational Electronics:Die Tagung umfasst alle Aspekte der hochentwickelten Simulation des elektronischen Transports sowie der optoelektronischen Prozesse in Halbleitern und in Halbleiterbauelementen basierend sowohl auf anorganischem als auch organischem Material. Das wissenschaftliche Programm besteht aus eingeladenen und eingereichten Vorträgen sowie aus Posterpräsentationen.	05/2006	05/2006	51
SEMIC 2006 - Interdisziplinäre Tagung (Elektrotechnik, Mathematik, Physik, Chemie) betreffend den Fortschritt in der Modellierung von Halbleiterbauelementen und -schaltungen.	02/2006	02/2006	51
SISPAD 2007 - Internationale Konferenz über Simulation von Halbleiterprozessen und -bauelementen: Bauelementesimulation inklusive Trägertransport in Nanostrukturen; Modelle für VLSI-Bauelemente; Prozess-Simulation (makroskopische und atomistische Näherungen); Geräte-, Topograhie- und Lithographie-Simulation; Verdrahtungsstrukturen und Algorithmen zur Berücksichtigung von Rauschen und anderen parasitären Effekte; Kompaktmodelle für Schaltungssimulation; Integration von Bauelement- und Schaltungssimulation; Benutzeroberflächen und Visualisierung; Hochleistungsrechnen, numerische Methoden und Algorithmen; Gittergenerierung und -adaptierung; Simulation von Mikrosensoren und optoelektronischen Bauelementen; Untersuchung, Kalibrierung und Vergleich verschiedener Simulatoren	09/2007	09/2007	51
Workshop über Elektromigration und Zuverlässigkeit: Basierend auf experimenteller und simulationsmäßiger Erfahrung führender Experten wird im Rahmen der Tagung das Phänomen der Elektromigration sowie dessen kritischer Einfluss auf Entwurf und Integration zukünftiger Verdrahtungsstrukturen beleuchtet.	09/2007	09/2007	49
Workshop über Organische Elektronik: In dieser Tagung wird der aktuelle Stand sowie kürzliche Entwicklungen auf den Gebieten organische Elektronik und optoelektronische Bauelemente, basierend auf experimentellen, theoretischen und simulationsmäßigen Arbeiten, bearbeitet. Besondere Bedeutung kommt dabei der Vermittlung der grundlegenden elektronischen Eigenschaften organischer Halbleitermaterialien sowie der dafür geeigneten Simulationstechniken zu.	09/2007	09/2007	49