Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF) ist eine spezielle Methode der energiedispersiven Röntgenfluoreszenzanalyse, die die analytische Leistungsfähigkeit mit Röntgenröhren in den Ultraspurenbereich (10-12 g) ausdehnt. Unter Verwendung von Synchrotronstrahlung als anregende Strahlenquelle mit ihren inhärenten Eigenschaften, wie hoher Intensität, weitem Spektralbereich und natürlicher Kollimation kann die Nachweisempfindlichkeit auf 10-15 g (fg) erhöht werden. Verwendet man einen hochauflösenden Kristallmonochromator anstelle von Multilayer Monochromatoren kann Absorptionsspektroskopie (XANES, EXAFS) durchgeführt werden, was Speziation und Bestimmung der chemischen Umgebung eines Elements ermöglicht. Wird die Winkelabhängigkeit des Fluoreszenzsignals gemessen, nennt man die Methode GIXRF (Grazing incidence XRF), eine leistungsfähige Methode zur zerstörungsfreien Tiefenprofilbestimmung speziell oberflächennaher Schichten und Charakterisierung von dünnen Schichten bis einige 100 nanometer. GIXRF liefert Information über die Tiefenverteilung und die Gesamtdosis der Elemente in den Schichten. In Kombination mit Absorptionsspektroskopie kann die lokale Struktur des untersuchten Elements in oberflächennahen Schichten bestimmt werden und so Erkenntisse über die physikalischen Eigenschaften (z.B. elektrische Aktivität von Ionen Implantaten für Mikroelektronik) gewonnen werden. Projektziele: • SRTXRF-XANES: Bestimmung des Oxidationszustandes von Rhodium in Rh behandelten Krebszellen (Kooperation mit Prof. G.Zaray, und Dr. N.Szoboszai von ELTE Budapest and Dr. K.Appel vom HASYLAB@DESY, Hamburg). Die Ergenisse werden zum Verständnis des Mechanismus der biologischen Effekte von Rh Komplexen beitragen und zum Verständnis der Antitumor-Aktivität und Toxizität der verschiedenen Komplexe. • GIXRF von Arsen in ultra shallow junctions (Kooperation mit Dr. G.Pepponi und Dr. F. Meirer vom FBK-irst, Trento und Prof. P,Pianetta, SSRL, California). Bestimmung des Grades der Dotierungsaktivität durch aktuelle Implantations und Annealing Techniken. Mit GIXRF-EXAFS/XANES wird die lokale Koordinationsstruktur um die As Ionen bestimmt. • GI-XRF + Reflektometrie (XRR) Analyse dünner Schichten (Kooperation mit Dr.Pepponi, Dr.Meirer, Dr.Morales from CIMAP ENSI, Caen, France, Dr.J.Göttlicher von ANKA, Karlsruhe, Germany, and Dr.Appel). Die Meßapparatur, das Meßprotokoll für Labor und Synchrotronstrahlung und die Auswertesoftware sollen entwickelt werden zur umfangreichen zerstörungsfreien Charakterisierung von dünnen Schichten auf Wafer für Halbleiteranwendungen (High k Material) und Seltene Erden dotierte Siliziumreiche Oxidfilme, die den Wirkungsgrad von Dünnschicht- Solarzellen erhöhen sollen.