Kinetische Monte-Carlo-Simulation der Smart-Cut(TM)-Technologie: Entwicklung von Modellen für Punktdefekte und ausgedehnte Defekte in Si(001) nach He-/H-Koimplantation

01.01.2008 - 28.02.2009

Auftragsforschungsprojekt

Kinitische Monte-Carlo-Simulation der Smart-Cut(TM)-Technologie: Entwicklung von Modellen für Punktdefekte und ausgedehnte Defekte in Si(001) nach He-/H-Koimplantation

Personen

Projektleiter_in

Ao.Univ.Prof. Dipl.-Ing. Dr.techn. Gerhard Hobler (E362)

Projektmitarbeiter_innen

Dipl.-Ing. Dr.techn. Thomas Zahel (E362)

Institut

E362 - Institut für Festkörperelektronik

Auftrag/Kooperation

S.O.I.T.E.C Silicon on Insulator Technologies

Forschungsschwerpunkte

Computational Science and Engineering

Schlagwörter

Deutsch	Englisch
Ionenimplantation	ion implantation
Monte-Carlo-Simulation	Monte Carlo simulation
Smart-Cut-Technologie	Smart Cut technology