ALD von Nano-Schichten auf Silizium-Nanodrähten

01.08.2007 - 31.07.2010
Forschungsförderungsprojekt
DasZiel dieses Projektes ist es, nanoskalierte ALD-Schichten direkt auf Silizium-Nanodrähten aufzubringen und die physikalischen und chemischen Eigenschaften dieser Schichtsysteme im Hinblick auf ihre Anwendbarkeit in elektronischen Bauelementen zu untersuchen. Dabei soll auf Basis der Materialparameter und der elektrischen Eigenschaften ein grundlegendes Verständnis für das Verhalten ultra-dünner Dielektrika auf Silizium-Nanodrähten, sowie für Metallschichten zur elektrischen Kontaktierung solcher Systeme erarbeitet werden. Um dies zu erreichen sollen eigene Testmodule entwickelt werden, die es ermöglichen, die morphologischen-, physikalisch-chemischen-, und elektrischen Eigenschaften zu analysieren. Hierzu werden ultra-dünne (einige wenige Nanometer dicke) dielektrische Schichten (Al2O3, HfO2, ZrO2, und seltene-Erd-Metall-Oxide) durch ALD auf Silizium-Nanodrähten abgeschieden. Auf diesen werden anschließend metallische Kontaktfelder (TiN, W und Pt) erzeugt, die eine elektrische Charakterisierung ermöglichen. Um die thermodynamische Stabilität zu untersuchen, werden die jeweiligen Materialsysteme verschiedenen thermischen Prozeßschritten unterworfen und anschließend durch umfangreiche qualitative und quantitative physikalisch-chemische und elektrische Charakterisierungsmethoden untersucht, wobei auch auf nationale und internationale Kooperationen in den Bereichen Prozessierung und Charakterisierung zurückgegriffen werden wird, was die Vernetzung von Forschungseinrichtungen auf nationaler wie auch auf internationaler Ebene vorantreiben wird.

Personen

Projektleiter_in

Projektmitarbeiter_innen

Institut

Förderungmittel

  • FWF - Österr. Wissenschaftsfonds (National) Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung (FWF)

Forschungsschwerpunkte

  • Special and Engineering Materials: 5%
  • Structure-Property Relationsship: 10%
  • Nano-electronics: 60%
  • Sustainable and Low Emission Mobility: 5%
  • Surfaces and Interfaces: 10%
  • Materials Characterization: 10%

Schlagwörter

DeutschEnglisch
Hochpermittive DielektrikaNanoscale high k Dielectrics
Silizium-NanodrähteSilicon Nanowires
Atomare SchichtabscheidungAtomic Layer Deposition
Nanskalen-BauelementeNanoscale Devices

Publikationen