Integration von Ge- und SiGe-Nanostrukturen in neuartige Transistorarchitekturen, die die Leistung der Bauelemente über die durch die Miniaturisierung auferlegten Grenzen hinaus erweitern und eine funktionale Diversifizierung ermöglichen.

Integration of Ge and SiGe nanostructures in emerging transistor architectures extending device performances beyond the limits imposed by miniaturization to enable functional diversification.