Person profile

Ao.Univ.-Prof.i.R. Dipl.-Ing. Dr.techn.
Gerhard Hobler
Phone +43 1 58801 36233
Assigned
E362

Profile

Research profile (German):
Simulation der Wechselwirkung zwischen energetischen Ionen und Festkörpern (Ionenimplantation und Sputtern). Simulation von Defekten in Halbleitern, insbesondere in Silizium. Im Rahmen der Prozesssimulation Entwicklung von Modellen für Ionenimplantation, sowie Topographie-Simulation.
Research profile (English):
Simulation of interaction between energetic ions and solids (ion implantation and sputtering). Simulation of defects in semiconductors, especially in silicon. In the field of process simulation, modelling of ion implantation and topography simulation.
Additional information:
keine
Publications: