Vertikale verspannte 1D Siliziumnanostrukturen und Bauteile

01.03.2005 - 30.09.2008
Research funding project
Ziel des Forschungsprojektes ist es, die fundamentalen elektrischen Eigenschaften von vertikalen 1D Silizium- Nanostrukturen und Bauelementen zu untersuchen. Der Umfang und die Vielschichtigkeit dieses Projektes erfordert die interdisziplinäre Zusammenarbeit von Forschungsgruppen, die im Bereich der Herstellung von metallischen Nanotemplaten, dem Wachstum eindimensionaler Siliziumstrukturen sowie der Integration dieser Nanostrukturen in elektrische Bauelemente und der Untersuchung ihrer elektrischen und mechanischen Eigenschaften tätig sind. Im einzelnen sind dies das Max Planck Institut für Mikrostrukturphysik in Halle und das Institut für Festkörperphysik in Jena (beide D) (Wachstum der 1D Nansotrukturen und strukturelle Charakterisierung, Wafer bonding), das Institut für Materialuntersuchungen in Thun und das Institut für Nanostrukturuntersuchungen in Lausanne (beide CH) (in-situ REM Untersuchungen, elektronische und mechanische Charakterisierung von eindimensionalen (1D) Nanostrukturen unter dem Einfluß von mechanischen Spannungen) sowie das Institut für Festkörperelektronik (A) (Synthese der metallischen Nanotemplate, Integration der 1D Nanostrukturen in vertikale Bauelemente und deren elektrische Charakterisierung). Die Herstellung der 1D Si nanostrukturen erfolgt dabei im sogenannten vapor-liquid-solid Verfahren in CVD oder Molekularstrahlanlagen. Das Wachstum (Länge und Durchmesser) der vertikalen 1D Nanostrukturen wird dabei von metallischen Partikeln (Ga, Au, Al) mit einem Durchmesser von einigen wenigen Nanometern katalysiert. Die Herstellung dieser Metalltemplate erfolgt in unserem Projekt durch Ionenstrahlverfahren oder durch die Direktabscheidung aus der Gasphase mittels fokussierter Elektronen und Ionenenstrahlen. Ein neues, auf einer Waferbonding Technologie basierendes, selbstjustierendes Verfahren ermöglicht den Aufbau funktioneller Einheiten von vertikalen Nanosstrukturen und deren Integration in funktionelle Bauelemente wie pn-Dioden und in weiterer Folge auch vertikale Feldeffekttransistoren. Diese funktionellen Einheiten ermöglichen es darüber hinaus, den Einfluß von Verspannungen auf die elektrischen Eigenschaften der 1D Halbleiterstruktur als auch des fertigen Bauelemente zu untersuchen.

People

Project leader

Project personnel

Institute

Förderungmittel

  • FWF - Österr. Wissenschaftsfonds (National) Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung (FWF)

Research focus

  • Special and Engineering Materials: 20%
  • Structure-Property Relationsship: 20%
  • Nano-electronics: 20%
  • Surfaces and Interfaces: 20%
  • Materials Characterization: 20%

Keywords

GermanEnglish
Nanostrukturen Nano structures
Nanodrähtenanowire
eindimensionaler MOSFETone dimensionalMOSFET

External partner

  • Max Planck Institut für Mikrostrukturphysik
  • Eidgenössiche Material und Prüfanstalt

Publications