Personenprofil

Ao.Univ.-Prof.i.R. Dipl.-Ing. Dr.techn.
Gerhard Hobler
Telefon +43 1 58801 36233
Zugeordnet
E362

Profil

Forschungsprofil (Deutsch):
Simulation der Wechselwirkung zwischen energetischen Ionen und Festkörpern (Ionenimplantation und Sputtern). Simulation von Defekten in Halbleitern, insbesondere in Silizium. Im Rahmen der Prozesssimulation Entwicklung von Modellen für Ionenimplantation, sowie Topographie-Simulation.
Forschungsprofil (Englisch):
Simulation of interaction between energetic ions and solids (ion implantation and sputtering). Simulation of defects in semiconductors, especially in silicon. In the field of process simulation, modelling of ion implantation and topography simulation.
Weitere Informationen:
keine
Publikationen: