786 710 Doctoral programme in Engineering Sciences Electrical Engineering

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2018W-2019S (2007U)

TitlePrecon.HoursECTS
Doctoral programme in Engineering Sciences Electrical Engineering
180.0
Scientific Emphasis
18.0
Privatissima mit vier Ects
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
370.003 PV 2019S
2.04.0
370.003 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum f.Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Doktoranden
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
352.159 PV 2019S
2.04.0
352.159 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanden
4.0
PV Privatissimum f.Diss.
4.0
353.848 PV 2019S
2.04.0
353.848 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Doktoranden
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum f.Doktoranden
4.0
2.04.0
354.007 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Doktoranden
4.0
PV Privatissimum für Doktoranden
4.0
355.020 PV 2019S
2.04.0
355.020 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Doktorand/inn/en
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
357.013 PV 2019S
2.04.0
357.013 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Diss.
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum Dissertanten
4.0
362.046 PV 2019S
2.04.0
362.046 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
362.048 PV 2019S
2.04.0
362.048 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
362.050 PV 2019S
2.04.0
362.050 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
362.073 PV 2019S
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
362.086 PV 2019S
2.04.0
362.086 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
362.099 PV 2019S
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
366.009 PV 2019S
2.04.0
366.009 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Supervision of PhD students
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
371.486 PV 2019S
2.04.0
371.486 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
376.009 PV 2019S
2.04.0
376.035 PV 2019S
2.04.0
376.035 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
381.145 PV 2019S
2.04.0
381.145 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
382.006 PV 2019S
2.04.0
382.006 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
389.045 PV 2019S
2.04.0
389.045 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Privatissimum für Doktoranden
4.0
362.114 PV 2019S
2.04.0
362.114 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
376.026 PV 2019S
2.04.0
376.026 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum f Dissertantinnen und Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
2.04.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
PV Technologie - CAD für Dissertanten
4.0
3.04.0
PV Privatissimum für EMV-Probleme
4.0
PV Supervision of PhD Students
2.04.0
370.019 PV 2019S
2.04.0
370.019 PV 2018W
2.04.0
389.189 PV 2019S
2.04.0
366.101 PV 2019S
2.04.0
366.101 PV 2018W
2.04.0
PV Special Seminar f. Doctoral Students
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
SE Advanced Methods in Mechatronics and Instrumentation for PhD-Students
4.04.0
SE Advanced Methods in Mechatronics and Instrumentation for PhD-Students
3.03.0
3.03.0
3.03.0
SE Doctoral Thesis Seminar
2.04.0
2.04.0
2.04.0
376.072 SE 2019S
2.04.0
376.072 SE 2018W
2.04.0
PV Privatissimum for PhD Students
2.04.0
2.04.0
2.04.0
PV Supervision for PhD students
2.04.0
362.157 PV 2019S
2.04.0
389.188 PV 2018W
2.04.0
PV Privatissimum for diploma students
2.02.0
2.02.0
PV Supervision for PhD students
2.04.0
362.161 PV 2019S
2.04.0
362.161 PV 2018W
2.04.0
PV Private course for PhD students
2.04.0
2.04.0
SP Indroduction into teaching electrical engineering at the university level
2.03.0
PV Supervision of PhD students
2.04.0
362.165 PV 2018W
2.04.0
376.071 PV 2019S
2.04.0
376.071 PV 2018W
2.04.0
PV PhD thesis supervision
2.04.0
PV PhD thesis supervision
2.04.0
389.197 PV 2019S
2.04.0
389.198 PV 2018W
2.04.0
VO ubiquitous computing
3.02.0
PV PhD-student seminar
2.04.0
354.078 PV 2019S
2.04.0
PV PhD-student seminar
2.04.0
354.083 PV 2018W
2.04.0
VO Privatissimum für Dissertanten (in englisch)
3.0
SE Privatissimum für Dissertanten
2.0
2.02.0
VO Computersimulation in der Laserphysik
3.0
UE Computersimulation in der Laserphysik
2.0
VO Rechnergestützte Energiewirtschaft
3.0
SE Mikrostruktursimulation für Dissertanten
2.0
SE Ausgewählte Kapitel der Halbleiterphysik für Diss.
2.0
2.02.0
SE Ausgewählte Kapitel der Halbleitertechnologie für Diss.
3.0
3.03.0
VO Hochfrequenz Bauelemente und Schaltungen für moderne Kommunikationsanwendungen
1.5
SE Nanostrukturbauelemente in ULSI-Schaltungen für Dissertanten
2.0
2.02.0
VO Latest Development in Robotics, particulary for Medical Applications
6.0
SE Semiconductor Nanostructures
2.0
362.029 SE 2019S
2.02.0
PR PrA aus Herst. u. Charakter. dünner Schichten
8.0
PR Gasphasenunterstützte Abscheideverfahren für nanoskalierte MOSFET
8.0
8.08.0
PR Nanostrukturierung mit fokussierten Ionen- und Elektronenstrahlen
8.0
8.08.0
8.08.0
PR Projektarbeit aus Halbleiterphysik
8.0
8.08.0
8.08.0
PR Projektarbeit aus Halbleitertechnologie
8.0
8.08.0
8.08.0
VO The Method of Discretization in Time and Partail Differential Equations
3.0
VO Generalized Functions: Theory and Techniques
3.0
VO Stationäre Analyseverfahren f. el. Energienetze
2.25
VO Electromagnetic fields and optical properties of
4.5
UE Grundlagen wissenschaftlichen Arbeitens
1.0
VO Grundlagen wissenschaftlichen Arbeitens
1.5
VO Neural architecture and control
3.0
SE Dissertantenseminar
2.0
376.037 SE 2019S
2.02.0
376.037 SE 2018W
2.02.0
SE Dissertantenseminar
2.0
376.008 SE 2019S
2.02.0
SE Research Projects in Advanced Signal Processing
3.0
3.03.0
3.03.0
SV Laser Materie Wechselwirkung
1.0
KO Telekommunikationsforum
2.0
389.018 KO 2019S
2.02.0
389.018 KO 2018W
2.02.0
VO Broadband Multiport Transmit Antenna Complexes of Radiocommunication Systems
1.5
SE Fortgeschrittene Methoden der Regelungstheorie für Dissertanten
3.0
3.03.0
3.03.0
VO Lecture Series Introduction to Functional Matter
3.0
Thesis Dissertation
162.0
Final exam Viva Voce Examination
Responsible dean of academic affairs
For questions regarding the curriculum please contact the responsible dean of academic affairs.

Legend

Courses belong to the introductory and orientation phase ("Studieneingangs- und Orientierungsphase")
Courses belong to the introductory interview ("Studieneingangsgespräch")
Courses require the completion of the introductory and orientation phase
Courses require the completion of the introductory interview STEG