Vertieftes Verständnis und praktische Erfahrung im Bereich der Halbleitertechnologie.
In einem einführenden Vorlesungsteil werden die Grundlagen des MOSFET, die Herstellungsschritte, die Bedienung der Fertigungsanlagen und die Rolle der Simulation umrissen. Im Hauptteil werden in Kleingruppen MOSFETs mit den Anlagen des FKE im Reinraum hergestellt. Anschließend werden an einem Halbleiter-Teststand die elektrischen Kenngrößen des fertigen Transistors bestimmt. Prozess- und Device-Simulationen werden mit Industrie-Standard TCAD-Tools durchgeführt.
Sie können diese Lehrveranstaltung auch im Wintersemester mit einem unterschiedlichen Programm absolvieren. Im Wintersemester wird das Thema Nanotechnologie behandelt mit Schwerpunkt auf Forschungsgebiete am Institut. Sie können die Lehrveranstaltung auch in beiden Semestern belegen und bekommen dann zusätzlich ein Zeugnis über "Technologie und Werkstoffe, Vertiefung 2".
