Nach einem einleitenden Vorlesungsteil über Mikro- und Nanoelektronik (Mooresches Gesetz, Prozesstechnologie, TCAD, neue MOSFETs) werden in Gruppen aktuelle Bauelemente mit Hilfe der TCAD-Software Sentaurus simuliert (Prozess- oder Devicesimulation). Schwerpunkt ist dabei weniger die Bedienung des Simulators als die Illustration aktueller Technologie (z.B. 32nm MOSFET). Anschließend folgen Vorlesungen über weitere Themen der Nanoelektronik und Informationstechnologie (neue Bauelementkonzepte, Halbleiterspeicher, Sensoren, Displays, Massenspeicher), die unter anderem auch auf Themen der Bachelorarbeit vorbereiten.
Handouts der Vorlesungsfolien werden im Laufe der Lehrveranstaltung in TISS zur Verfügung gestellt.
R. Waser, Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, 3rd Edition, 2012.
Y. Taur, T.H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge University Press, 2nd Edition, 2009.