366.086 Materialien, Prozesse und Technologien der Mikrosystemtechnik
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2019S, VU, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VU Vorlesung mit Übung

Ziele der Lehrveranstaltung

Vorstellung und Diskussion von mikro-und nanotechnisch hergestellten Bauelementen auf Basis von Siliziumkarbid.

Inhalt der Lehrveranstaltung

Der Schwerpunkt dieser Lehrveranstaltung liegt auf karbidischen Materialien, insbesondere auf dem für MEMS und Mikroelektronikanwendungen wichtigen Material Siliziumkarbid (SiC). Die Lehrveranstaltung ist dabei in folgende Themengebiete unterteilt: 

Herstellungsverfahren
Neben der Herstellung von Bulk-SiC werden insbesondere spezielle Verfahren wie LPCVD und PECVD zur Herstellung von polykristallinen oder amorphen SiC-Dünnfilmen sowie homo- und heteroepitaktische Verfahren zur Herstellung von einkristallinen 6H-SiC und 3C-SiC Schichten behandelt. Auch das für elektronische und elektro-mechanische Anwendungen wichtige Dotieren von SiC wird besprochen.

Materialeigenschaften
Die besonderen thermischen, elektrischen, chemischen, mechanischen und strukturellen Eigenschaften von SiC werden eingehend dargestellt. Darüber hinaus werden fortgeschrittene optische und elektrische Charakterisierungsverfahren (bspw. DLTS) vorgestellt.

Strukturierung und Funktionalisierung
Neben den bekannteren Verfahren zur Materialstrukturierung wie nasschemischem und trockenchemischem Ätzen wird verstärkt auf elektrochemische Verfahren eingegangen, um bspw. poröse SiC-Schichten herzustellen. Gezielt oxidierte Bereiche der SiC-Oberfläche können als Maskierung für Ionenimplantation, als Passivierung oder als Isolatorschicht für halbleiterelektronische Anwendungen verwendet werden.

Verwendung in der Mikroelektronik
In diesem Teil der Vorlesung wird auf die Verwendung von SiC in MOSFETs/MESFETs/JFETs und Dioden eingegangen sowie die Bedeutung von SiC für Hochleistungselektronik und Optoelektronik besprochen.

Verwendung in der Mikrosystemtechnik 
Neben dem Einsatzgebiet elektronische Bauelement wird SiC aufgrund seiner mechanischen und thermischen Eigenschaften auch in der Mikrosystemstechnik immer stärker eingesetzt. Als Beispiel werden MEMS Mikrophone, Sensoren in Extremumgebungen (Temperatur-, Gas-, Drucksensorik) sowie Bauelemente wie Mikroheizplatten für chemische Sensoren besprochen. 

Vortragende

Institut

LVA Termine

TagZeitDatumOrtBeschreibung
Di.09:00 - 10:0005.03.2019 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorbesprechung
Di.08:30 - 10:0030.04.2019 - 25.06.2019 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Materialien, Prozesse und Technologien der Mikrosystemtechnik - Einzeltermine
TagDatumZeitOrtBeschreibung
Di.05.03.201909:00 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorbesprechung
Di.30.04.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.07.05.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.14.05.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.21.05.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.28.05.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.04.06.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.18.06.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung
Di.25.06.201908:30 - 10:00 Besprechungsraum ISAS, Gußhausstraße 27-29, Raum CB0102Vorlesung

Leistungsnachweis

Im Anschluss an die Vorlesung wird eine mündliche Prüfung abgehalten.

LVA-Anmeldung

Von Bis Abmeldung bis
07.03.2019 08:00 20.03.2019 23:59

Curricula

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Sprache

bei Bedarf in Englisch