362.172 Emerging Devices in Power Applications
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2019S, VU, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VU Vorlesung mit Übung

Ziele der Lehrveranstaltung

Einführung und Vertiefung in die Prinzipien und Funktionalitäten von Leistungshalbleiter in Bezug leistungselektronischer Leistungswandler.

Inhalt der Lehrveranstaltung

Auf Basis einiger grundlegender Spannungswandlerschaltungen (PFC, Buck-, Boostkonverter) werden die Prinzipien und Kriterien der einzelnen elektronischen Bauelemente abgeleitet. Im Speziellen werden darauf aufbauend die Konzeptideen und technologischen Herausforderungen moderner Leistungstransistoren auf Basis von Si, SiC und GaN besprochen. Im letzten Teil der VU sollen moderne Entwicklungsmethoden wie sie im industriellen Bereich heute Standard sind diskutiert und angewendet werden.

Vortragende

Institut

LVA Termine

TagZeitDatumOrtBeschreibung
Fr.13:00 - 14:0008.03.2019Seminarraum 362 - 1 Vorbesprechung + Einleitung
Fr.13:00 - 15:0008.03.2019Besprechungsraum 362 - 2 Vorbesprechung + Einleitung
Fr.11:45 - 14:3022.03.2019 FKE Seminarraum 2 + 1Termin 3
Do.13:00 - 15:4504.04.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 4
Fr.13:00 - 15:4505.04.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 5
Do.13:00 - 15:4509.05.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 6
Fr.13:00 - 15:4510.05.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 7
Do.13:00 - 15:4506.06.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 8
Fr.12:00 - 13:0007.06.2019Besprechungsraum 362 - 2 mündliche Prüfung
Fr.13:00 - 15:4507.06.2019Seminarraum 362 - 1 Termin 9

Leistungsnachweis

Teilnahme an der Diskussion, Hausübungen, mündliche Prüfung

Prüfungen

TagZeitDatumOrtPrüfungsmodusAnmeldefristAnmeldungPrüfung
Fr.12:00 - 13:0012.06.2020Besprechungsraum 362 - 2 mündlichKeine Anmeldung-mündliche Prüfung

LVA-Anmeldung

Nicht erforderlich

Curricula

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Vorkenntnisse

grundlegendes Verständnis von Halbleiterphysik sowie einfachen Halbleiterbauelementen (pn Diode, Feldeffektransistor, Schottky-Diode, BJT)

Sprache

bei Bedarf in Englisch