362.151 Halbleiter-Prozess-Modellierung
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2018W, VU, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VU Vorlesung mit Übung

Ziele der Lehrveranstaltung

Verständnis von Simulationsverfahren der Computational Materials Science und deren praktische Anwendung am Beispiel der Nanostrukturierung mit Ionenstrahlen

Inhalt der Lehrveranstaltung

1. Nanostrukturierung mit Ionenstrahlen
2. Molekulardynamik
3. Interatomare Potentiale
4. Mechanische Spannungen
5. Binary-Collision-Simulationen, Kopplung mit Kontinuum-Mechanik
6. Multiscale-Modellierung am Beispiel der Simulation von Bubbles in Si
7. Spontane Musterbildung durch Ionenbeschuss
Etwa die Hälfte der Lehrveranstaltung entfällt auf die Übungen, in denen Molekulardynamik-Simulationen mit LAMMPS durchgeführt werden.

Weitere Informationen

Die Termine werden in der Vorbesprechung vereinbart. Der Übungsteil kann nach freier Zeiteinteilung absolviert werden kann.

Vortragende

Institut

LVA Termine

TagZeitDatumOrtBeschreibung
Do.13:00 - 14:0004.10.2018Seminarraum 362 - 1 Vorbesprechung

Leistungsnachweis

Präsentation der Simulationsergebnisse, mündliche Prüfung.

LVA-Anmeldung

Von Bis Abmeldung bis
02.09.2018 00:00 04.10.2018 23:59

Curricula

StudienkennzahlSemesterAnm.Bed.Info
066 508 Mikroelektronik und Photonik

Literatur

 

 

Vorkenntnisse

Die Lehrveranstaltung ergänzt den Teil "Computational Materials Science" der VU 362.152 Materialien, Prozesse und Technologien der Mikroelektronik. Die beiden Lehrveranstaltungen können in beliebiger Reihenfolge absolviert werden.

Sprache

Deutsch