Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage...
Die Studierenden sollten nach erfolgreichem Abschluss des Kurses über Grundkenntnisse in Kristallstrukturen, Kristallstrukturanalyse durch Röntgenbeugung und epitaktischem Wachstum von Heterostrukturen verfügen. Weiters sind sie in der Lage, Beispielprobleme im Zusammenhang mit Halbleiterheterostrukturen, epitaktischem Wachstum und Charakterisierung zu verstehen und zu lösen.
Einführung in die Physik verschiedener Abscheidetechniken zur Herstellung einkristalliner Filme: Erklärung und Vergleich industriell angewandter Herstellungstechniken und Charakterisierungstechniken zur Erzeugung von epitaktischen Schichten (Dielektrika, Halbleiter, Metalle/Supraleiter): Beschreibung verschiedener Wachstumsverfahren (MBE, MO-MBE, ALE, CVD, MO-CVD, Laser-CVD, PA-CVD, LPE, etc.) und der dazu notwendigen Ausstattung (Vakuumtechnik, Materialquellen, Substratvorbehandlung etc.): Dotierungsmethoden, "in situ" und "ex situ" Analysemethoden (Zusammensetzung, Reinheit, Strukturanalyse, Ladungsträger, optische und elektrische Eigenschaften): Herstellungsmethoden von eindimensionalen Strukturen durch verschiedene Wachstumstechniken (Quantendrähte durch Überwachsen etc.): Diskussion möglicher Anwendung neuester Materialsysteme.
