362.145 Heterostrukturen für Nanoelektronik und Photonik
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2020S, VU, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VU Vorlesung mit Übung

Lernergebnisse

Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage...

Die Studierenden sollten nach erfolgreichem Abschluss des Kurses über Grundkenntnisse in Kristallstrukturen, Kristallstrukturanalyse durch Röntgenbeugung und epitaktischem Wachstum von Heterostrukturen verfügen. Weiters sind sie in der Lage, Beispielprobleme im Zusammenhang mit Halbleiterheterostrukturen, epitaktischem Wachstum und Charakterisierung zu verstehen und zu lösen.

 

 

Inhalt der Lehrveranstaltung

Einführung in die Physik verschiedener Abscheidetechniken zur Herstellung einkristalliner Filme: Erklärung und Vergleich industriell angewandter Herstellungstechniken und Charakterisierungstechniken zur Erzeugung von epitaktischen Schichten (Dielektrika, Halbleiter, Metalle/Supraleiter): Beschreibung verschiedener Wachstumsverfahren (MBE, MO-MBE, ALE, CVD, MO-CVD, Laser-CVD, PA-CVD, LPE, etc.) und der dazu notwendigen Ausstattung (Vakuumtechnik, Materialquellen, Substratvorbehandlung etc.): Dotierungsmethoden, "in situ" und "ex situ" Analysemethoden (Zusammensetzung, Reinheit, Strukturanalyse, Ladungsträger, optische und elektrische Eigenschaften): Herstellungsmethoden von eindimensionalen Strukturen durch verschiedene Wachstumstechniken (Quantendrähte durch Überwachsen etc.): Diskussion möglicher Anwendung neuester Materialsysteme.

Methoden

Rechnen von Übungsbeispielen

 

 

Prüfungsmodus

Mündlich

Vortragende

Institut

Leistungsnachweis

Mindestpunkteanzal bei Übungen und Tests

LVA-Anmeldung

Nicht erforderlich

Curricula

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Sprache

Englisch