Vertieftes Verständnis der Herstellung und Eigenschaften integrierter Bauelemente. Erster Einblick in die Möglichkeiten moderner Simulations-Tools. Überblick über die wichtigsten Trends der Nanotechnologie einschließlich aktuell am Institut bearbeiteter Themen.

Nach einem einleitenden Vorlesungsteil über Mikro- und Nanoelektronik (Mooresches Gesetz, Prozesstechnologie, TCAD, neue MOSFETs) werden in Gruppen aktuelle Bauelemente (32nm MOSFET) mit Hilfe der TCAD-Software Sentaurus simuliert (Prozess- oder Devicesimulation). Dabei wird ein Template vorgegeben, das im Sinne einer Aufgabenstellung abgeändert werden soll. Anschließend folgen Vorlesungen über weitere Themen der Nanoelektronik und Informationstechnologie (neue Bauelementkonzepte, Halbleiterspeicher, Sensoren, Displays, Massenspeicher), die unter anderem auch auf Themen der Bachelorarbeit vorbereiten.

Die Übungen finden im November statt. Die Termine werden in der Vorlesung vereinbart. Ein Antreten zur Prüfung erfordert eine erfolgreich absolvierte Übung. Falls Sie einen Vortrag gehalten und keine anderweitige Rückmeldung erhalten haben, ist Ihre Übung positiv.

Präsentation der Ergebnisse des Übungsteils in der Gruppe sowie mündliche Prüfung nach Ende der Lehrveranstaltung

Handouts der Vorlesungsfolien werden im Laufe der Lehrveranstaltung in TISS zur Verfügung gestellt.

R. Waser, Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, 3rd Edition, 2012.