Vertieftes Verständnis der Herstellung und Eigenschaften integrierter Bauelemente. Erster Einblick in die Möglichkeiten moderner Simulations-Tools. Überblick über die wichtigsten Trends der Nanotechnologie einschließlich aktuell am Institut bearbeiteter Themen.

Nach einem einleitenden Vorlesungsteil über Mikro- und Nanoelektronik (Mooresches Gesetz, Prozesstechnologie, TCAD, neue MOSFETs) werden in Gruppen aktuelle Bauelemente mit Hilfe der TCAD-Software Sentaurus simuliert (Prozess- oder Devicesimulation). Schwerpunkt ist dabei weniger die Bedienung des Simulators als die Illustration aktueller Technologie (z.B. 32nm MOSFET). Anschließend folgen Vorlesungen über weitere Themen der Nanoelektronik und Informationstechnologie (neue Bauelementkonzepte, Halbleiterspeicher, Sensoren, Displays, Massenspeicher), die unter anderem auch auf Themen der Bachelorarbeit vorbereiten.

Die Übungen finden Ende Oktober/Anfang November statt. Die Termine werden in der Vorlesung vereinbart.

Präsentation der Ergebnisse des Übungsteils in der Gruppe sowie mündliche Prüfung nach Ende der Lehrveranstaltung

Handouts der Vorlesungsfolien werden im Laufe der Lehrveranstaltung in TISS zur Verfügung gestellt.

R. Waser, Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, 3rd Edition, 2012.
Y. Taur, T.H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge University Press, 2nd Edition, 2009.