Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage ...
... Herstellungsverfahren und Eigenschaften integrierter Bauelemente zu beschreiben
... ein TCAD-Tool zu bedienen und sich in User-Guides zurechtzufinden.
... die Möglichkeiten moderner TCAD-Tools zu beschreiben.
... aktuelle Trends in ausgewählten Gebieten der Nanotechnologie zu beschreiben.
... die Funktion moderner Logikbauelemente und Datenspeicher zu verstehen
... die Prinzipien von unterschiedlichen Displays (LCD, FET, OLED, elect.paper) zu vergleichen
Nach einem einleitenden Vorlesungsteil über Mikro- und Nanoelektronik (Mooresches Gesetz, Prozesstechnologie, TCAD, neue MOSFETs) werden in Gruppen aktuelle Bauelemente (32nm MOSFET, 14nm FinFET) mit Hilfe der TCAD-Software Sentaurus simuliert (Prozess- oder Devicesimulation). Dabei wird ein Template vorgegeben, das im Sinne einer Aufgabenstellung abgeändert werden soll. Anschließend folgen Vorlesungen über weitere Themen der Nanoelektronik und Informationstechnologie (neue Bauelementkonzepte, Halbleiterspeicher, Sensoren, Displays), die unter anderem auch auf Themen der Bachelorarbeit vorbereiten.
Die Übungen finden im November/Dezember statt. Die Einteilung in Gruppen erfolgt Anfang November. Ein Antreten zur Prüfung erfordert eine erfolgreich absolvierte Übung. Falls Sie einen Vortrag gehalten und keine anderweitige Rückmeldung erhalten haben, ist Ihre Übung positiv.
Präsentation der Übungsergebnisse; mündliche Prüfung. Die mündliche Prüfung erfolgt durch Teilprüfungen der Vortragenden. Zu Semesterende werden nach Möglichkeit Termine angeboten, an denen alle Prüfungsteile abgelegt werden können. Danach können Prüfungstermine individuell mit den Vortragenden vereinbart werden.
Handouts der Vorlesungsfolien werden im Laufe der Lehrveranstaltung in TUWEL zur Verfügung gestellt.
R. Waser, Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, 3rd Edition, 2012.
