362.100 Testing of semiconductor devices and ICs
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2022S, VO, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VO Vorlesung
  • Format der Abhaltung: Online

Lernergebnisse

Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage Folgendes zu beherrschen. 

Das Testen von Halbleiterbauelementen ist besonders wichtig für die Entwicklung und die Verbesserung (das Debugging) neuer Technologien, für die Produktqualitätskontrolle, für die Zuverlässigkeit und die Lebensdauerabschätzung von integrierten Schaltungen (ICs). Experimentelle Verfahren zum Testen der Baulelemente und ICs sind auch wichtig für die Überprüfung der Ergebnisse der Bauelement- und Schaltungssimulation. Die Student(in)en werden praktische und theoretische Kenntnisse über innovative nicht-invasive Testverfahren für Temperatur-, Spannungs- und elektrischen Signale Messungen in Halbleiterbauelementen und ICs gewinnen.

 

 

Inhalt der Lehrveranstaltung

Die Erste Teil der Vorlesung betrifft die Grundlagen der unterschiedlichen Zerstörungsmodi von Bauelementen und ICs. Darauffolgend werden Methoden für die physikalische Fehlerlokalisierung und Identifikation präsentiert . Die allgemeine Übersicht inkludiert Rastertechnik-basierte Verfahren (AFM, SCM, Kelvin Rastermikroskopie, ), fokusierte Ionenstrahl Verfahren, elektronenstrahl-basierte Technik, thermische Analyse mit Flüssigkristallen . Die Vorlesung wird an zerstörungslose optische Methoden ausgerichtet. Es werden Verfahren zur kontaktlosen Analyse des Spannungs und Selbsterwärmungseffektes (die Hauptursache von Bauelementzerstörung) präsentiert. Diskutiert werden Emissionenmikroskopie, micro-Raman Imaging, Photoluminescence Mapping, Rastertechnik für Spannungs- und Stromverteilungsanalyse . Methoden basierend an Brechungsindex- und Absorbtionsänderungen, welche von Temperatur- und freie Ladungsträgerkonzentrationsvariationen verusacht werden, werden inklusive der am FKE der TU-Wien entwickelten nanosekunden transiente interferometrische Mapping (TIM) Methode in Details präsentiert. Verschiedene industrierelevante Beispiele der Bauelement- und IC-Tests (Fehlerlokalisation in ICs, Mikroprozessordebugging, thermische Abbildung während elektrostatischer Entladungen) werden diskutiert.

Methoden

Die allgemeine Übersicht inkludiert Rastertechnik-basierte Verfahren (AFM, SCM, Kelvin Rastermikroskopie, ), fokusierte Ionenstrahl Verfahren, elektronenstrahl-basierte Technik, thermische Analyse mit Flüssigkristallen . Die Vorlesung wird an zerstörungslose optische Methoden ausgerichtet. Es werden Verfahren zur kontaktlosen Analyse des Spannungs und Selbsterwärmungseffektes (die Hauptursache von Bauelementzerstörung) präsentiert.

 

 

Prüfungsmodus

Mündlich

Weitere Informationen

Bitte email schicken um einen Vorlesungstermin festzulegen

dionyz.pogany@tuwien.ac.at

Vortragende Personen

Institut

Leistungsnachweis

Prüfung

 

LVA-Anmeldung

Von Bis Abmeldung bis
07.03.2022 11:30 25.03.2022 12:00

Anmeldemodalitäten

am besten schicken Sie mir ein Email an dionyz.pogany@tuwien.ac.at

Vorlesungen starten am Anfang März

 

Curricula

StudienkennzahlVerbindlichkeitSemesterAnm.Bed.Info
710 FW Freie Wahlfächer - Elektrotechnik Freifach

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Sprache

Englisch