Lehrziel dieses Praktikums ist die Kenntnis des technischen Umfeldes der modernen Siliziumtechnologie, der Anforderungen bei Arbeiten unter Reinraumbedingungen und der wesentlichen Schlüsseltechniken der modernen Siliziumtechnik. Darüber hinaus diient das Praktikum der Vorbereitung auf eigenständiges Arbeiten an den Geräten der Halbleitertechnologie im Reinraum und den Labors mit Schwerpunkten im Bereich der Einzelprozess- und Prozessmodulentwicklung. Die Stichworte hierzu sind "Focused Ion Beam", Gasphasenabscheidung (CVD), Hochtemperaturprozesse, Flüssigphasenchemie und Device-Charakterisierung (Parameteranalyzer und Spitzenmesstechnik für on Wafer Charakterisierung0).

In diesem Praktikum werden die Studenten mit den Schlüsseltechnologien der modernen Siliziumtechnik bekannt gemacht. Nach einer Sicherheitseinschulung werden die Praktikumsteilnehmer in das Arbeiten unter Reinraumbedingungen eingeführt und lernen den Umgang mit Medien und Maschinen der Siliziumtechnologie kennen. Daneben erwerben sie die notwendigen Grundkenntnisse zur Charakterisierung von Materialien der Halbleitertechnik und der elektrischen Charakterisierung von elektronischen Bauelementen auf Chip- bzw. Waferebene. Den Abschluss der Arbeiten bildet eine Praktikumsarbeit, die ein in sich geschlossenes Thema zum Ziel hat in dem die erworbenen Kenntnisee eingesetzt werden können.