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362.074 Gasphasenunterstützte Abscheideverfahren für nanoskalierte MOSFET
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2019S, PR, 8.0h, 8.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 8.0
  • ECTS: 8.0
  • Typ: PR Projekt

Ziele der Lehrveranstaltung

Lehrziel ist die Kenntnis und der Umgang mit einer Schlüsseltechnologie der modernen Siliziumtechnik, der gasphasenunterstützten Abscheidung von extrem dünnen Schichten.

Inhalt der Lehrveranstaltung

In diesem Praktikum werden die Studenten mit einer Schlüsseltechnologie der modernen Siliziumtechnik bekannt gemacht, der gasphasenunterstützten Abscheidung von extrem dünnen Schichten. Nach einer obligatorischen Sicherheitseinschulung werden die Praktikumsteilnehmer in das Arbeiten unter Reinraumbedingungen eingeführt. Schwerpunkt dieses Praktikums ist das Arbeiten an CVD - Öfen und der Umgang mit entsprechenden Medien und Anlagen in der Siliziumtechnologie. Daneben erwerben die Teilnehmer die notwendigen Grundkenntnisse zur chemischen und physiklalischen Charakterisierung dünner Schichten und zum Aufbau einfacher Teststrukturen zur elektrischen Charakterisierung. Den Abschluss der Arbeiten bildet eine Praktikumsarbeit, die ein in sich geschlossenes Thema zum Ziel hat in dem die erworbenen Kenntnisee eingesetzt werden können.

Vortragende

Institut

LVA-Anmeldung

Anmeldemodalitäten:

Floragasse 7/I Ort: persönlich

Curricula

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Begleitende Lehrveranstaltungen

Weitere Informationen

  • Anwesenheitspflicht!

Sprache

Deutsch