Ziel der Lehrveranstaltung ist die Vermittlung von Aufbau, Funktion und Anwendung der modernen elektronischen Bauelemente, ihres Groß- und Kleinsignalverhaltens, ihrer Ersatzschaltungen und der Grundmodelle, sowie der wichtigsten Grundschaltungen für Analog- und Digitaltechnik. Besonderer Wert wird in der Vorlesung auf aktuelle Entwicklungen und Trends der Mikroelektronik gelegt. In den Übungen werden Grundfertigkeiten in der Analyse und Dimensionierung von (überwiegend analogen) Schaltungen vermittelt.

In der Vorlesung werden alle wichtigen Halbleiterbauelemente und Grundschaltungen behandelt. Kernelemente sind Aufbau, Funktion und Charakterisierung, sowie Klein- und Großsignal-Ersatzschaltungen für statische und dynamische Fälle und Modellvorstellungen dieser Bauelemente. Schwerpunkte bilden Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren. Aufbauend auf diesen Bauelementen werden Grundschaltungen, insbesondere einfache Verstärker, Stromquellen und Spannungsquellen, Differenzverstärker, Eingangs- und Endstufen, sowie Grundglieder der analogen und digitalen Schaltungstechnik diskutiert. Es folgen Eigenschaften und Grundschaltungen des Operationsverstärkers. Abschließend werden noch wichtige Sonderbauformen von Bauelementen, wie moderne Speicherbausteine, Leistungsbauelemente und Hochfrequenzbauelemente behandelt. Besonders eingegangen wird auf aktuelle Entwicklungen und Trends bei den Kernbausteinen der Mikroelektronik. Im Übungsteil werden einfache elektronische Schaltungen mit Dioden, Transistoren und Operationsverstärkern analysiert.

Wir sind bemüht, die Übungen so zu gestalten, dass sie sowohl für Hörer ohne Vorkenntnisse in elektronischer Schaltungstechnik ("AHS") bewältigbar als auch für Hörer mit Vorkenntnissen ("HTL") interessant sind. Dadurch ist es unvermeidlich, dass AHS-Absolventen im Vergleich zu Übungen anderer Lehrveranstaltungen einen etwas höheren Zeitaufwand haben. Zu jeder Übung werden "zusätzliche Übungsaufgaben" angeboten, die Ihnen die nötige Sicherheit geben sollen. Erfahrungsgemäß haben mit dem einen oder anderen Beispiel auch die HTL-Absolventen Schwierigkeiten. Daher wird die Lösung der "zusätzlichen Übungsaufgaben" allen Teilnehmern zur Vorbereitung auf die Klausuren empfohlen.

Für die Teilnahme an den Übungen ist die Anmeldung zu einer Gruppe erforderlich. Es gibt keine Beschränkung der Gesamtteilnehmerzahl, jedoch der Gruppenteilnehmerzahlen. Anmeldungen auf Warteliste werden nach Ende der Anmeldefrist bestätigt, können aber in eine andere Gruppe verschoben werden. Für den Fall, dass Sie einzelne oder alle Kleingruppenübungen nicht besuchen können, beachten Sie bitte die Hinweise auf der Homepage. Die Kleingruppenübungen beginnen zu den angegebenen Zeiten pünktlich und sind auf eine Dauer von 60 min ausgelegt, die fallweise um maximal 15 min überschritten werden kann.

laufende Beurteilung, 2 Klausuren und mündliche Prüfung

Ein Skriptum zur Lehrveranstaltung ist im Sekretariat des FKE, Floragasse 7, 1. Stock bei Fr. Pflug erhältlich. Die Unterlagen zu den Übungen sind in TUWEL abrufbar.

Weitere Literatur:
R. Müller, Bauelemente der Halbleiterelektronik, Springer Verlag, 4. Auflage
R.Müller, Grundlagen der Halbleiterelektronik, Springer Verlag, 7. Auflage
M. Reisch, Elektronische Bauelemente, Springer Verlag
R. Paul, Elektronische Halbleiterbauelemente, Teubner Verlag
R. Unbehauen, Grundlagen der Elektrotechnik, Bd. 1 und 2, Springer Verlag
R. Paul, MOS-Feldeffekttransistoren, Springer Verlag, 10. Auflage
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley International
R.M. Warner, B.L. Grung, Transistors, Wiley International
G.W. Neudeck and R.F. Pierret (edrs), Modular Series of Solid State Devices, Volumes II, III, IV, Prentice Hall

Grundkenntnisse in Netzwerkanalyse