Ziel der VL ist die Kenntnis der grundlegenden physikalischen Vorgänge in Halbleitern und einfachen Halbleiterbauelementen (Dioden, Transistoren).
1 PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN 1.1 Grundlagen aus der Atomphysik 1.2 Schwingungen und Wellen 1.3 Die Schrödingergleichung 1.4 Das Wasserstoffatom 1.5 Das periodische System der Elemente 2 PERIODISCHE FESTKÄORPERSTRUKTUREN 2.1 Zur Bildung der Energiebänder 2.2 Die Wellennatur der Elektronen 2.3 Diamant- und Zinkblendestruktur 2.4 Die Bandstruktur spezieller Halbleiter 3 TRANSPORTEFFEKTE IN HALBLEITERN 3.1 Analogie zum freien Teilchen 3.2 Statistik der Elektronen und Löcher 3.3 Rekombination und Paarerzeugung 3.4 Beweglichkeit und Feldstrom 4 OPTISCHE EIGENSCHAFTEN VON HALBLEITERN 4.1 Elektron-Photon Wechselwirkung 4.2 Optische Ubergänge in Halbleitern 5 HALBLEITERDIODEN 5.1 Wirkungsweise des pn-Überganges 5.2 Raumladungszone und Sperrschichtkapazität 5.3 Kennlinie der pn-Diode 5.4 Herstellung und Arten von pn-Dioden 6 TRANSISTOREN 6.1 Bipolar-Transistoren 6.2 Feldeffekt-Transistoren
Die Anmeldung erfolgt über Gruppen-Anmeldung.
Skripten zur Lehrveranstaltung erhältlich. Inst. für Festkörperelektronik, Gußhausstraße 25-25a, Gebäüde CH, 1040 Wien
