Verständnis von materiellen und strukturellen Degradationsmechanismen in modernen 3D integrierten Schaltungen. Methodik der Analyse des Ausfallsverhaltens, Problemlokalisierung und Problemidentifikation. Die Anwendung von TCAD-Tools bei der Optimierung der Zuverlässigkeit von integrierten Schaltungen.
Grundlagen der Herstellung von Metallisierungen und Verdrahtungsstrukturen, mechanische und elektrische Degradationsprozesse, Bewertungsmethodik von Zuverlässigkeitsaspekten, statistische Analyse des Ausfallverhaltens, Untersuchungen zu mikrostrukturellen Aspekten polykristalliner Metallisierungen, mechanische Degradation des Inter-Metal-Dielektrikums, Zuverlässigkeitsprobleme bei Verdrahtungsstrukturen für die 3D Integration (through-silicon-vias/solder bumps), physikalische Grundlagen von Elektromigration und Stressmigration, Modellierung der Elektromigration und Stressmigration, TCAD Analyse von Elektromigration und Stressmigration sowie die Optimierung von Metallisierungen und Verdrahtungsstrukturen.
Zeit und Ort der Lehrveranstaltung:Dienstag, 14:00 - 16:00 UhrSeminarraum E360, Gußhausstraße 27-29, Stiege 1, 5. Stock, Raum CD 0520Vorbesprechung und Beginn: 12. März 2018
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