360.232 Mikroelektronik Zuverlässigkeit: Prozess
Diese Lehrveranstaltung ist in allen zugeordneten Curricula Teil der STEOP.
Diese Lehrveranstaltung ist in mindestens einem zugeordneten Curriculum Teil der STEOP.

2019S, VU, 2.0h, 3.0EC

Merkmale

  • Semesterwochenstunden: 2.0
  • ECTS: 3.0
  • Typ: VU Vorlesung mit Übung

Ziele der Lehrveranstaltung

Verständnis von materiellen und strukturellen Degradationsmechanismen in modernen 3D integrierten Schaltungen. Methodik  der Analyse des Ausfallsverhaltens, Problemlokalisierung  und Problemidentifikation. Die Anwendung von TCAD-Tools bei der Optimierung der Zuverlässigkeit von integrierten Schaltungen.

Inhalt der Lehrveranstaltung

Grundlagen der Herstellung von Metallisierungen und Verdrahtungsstrukturen, mechanische und elektrische Degradationsprozesse, Bewertungsmethodik von Zuverlässigkeitsaspekten, statistische Analyse des Ausfallverhaltens, Untersuchungen zu mikrostrukturellen Aspekten polykristalliner Metallisierungen, mechanische Degradation des Inter-Metal-Dielektrikums, Zuverlässigkeitsprobleme bei Verdrahtungsstrukturen für die 3D Integration (through-silicon-vias/solder bumps), physikalische Grundlagen von Elektromigration und Stressmigration, Modellierung der Elektromigration und Stressmigration,  TCAD Analyse von Elektromigration und Stressmigration sowie die Optimierung von Metallisierungen und Verdrahtungsstrukturen.

Weitere Informationen

Zeit und Ort der Lehrveranstaltung:
Dienstag, 14:00 - 16:00 Uhr
Seminarraum E360, Gußhausstraße 27-29, Stiege 1, 5. Stock, Raum CD 0520
Vorbesprechung und Beginn: 12. März 2018

Vortragende

Institut

Leistungsnachweis

Mündliche Prüfung

LVA-Anmeldung

Von Bis Abmeldung bis
01.03.2019 08:00 01.04.2019 23:00 01.04.2019 23:00

Curricula

Literatur

Es wird kein Skriptum zur Lehrveranstaltung angeboten.

Sprache

Deutsch