Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage sich selbständig den State-of-the-Art eines Teilgebietes der Schaltungstechnik mit extremen Kurzkanal-MOSFETs mit Strukturgrößen um und unter 100nm, anzueignen, unterschiedliche Ansätze zu analysieren und die Schlussfolgerungen zu präsentieren.
Bearbeitung kleiner Projekte zur Schaltungstechnik mit extremen Kurzkanal-MOSFETs mit Strukturgrößen um und unter 100nm: Maßnahmen zur Verstärkungserhöhung bei kleinen Early-Spannungen, Kaskadierte Verstärker, OPAMPs, Kompensationsmethoden, Komparatoren, Filter, PGAs, digitale Schaltungen für Gate-Tunnelströme
Die Studierenden erhalten ein konkretes Thema aus dem Bereich des nanometer Schaltungsentwurfs, das sie bearbeiten und präsentieren.
Die Präsentation wird zur Beurteilung herangezogen.
Es wird die VO "Schaltungstechnik" (5. Sem.) vorausgesetzt. Der vorherige Besuch der VO "Analoge integrierte Schaltungen" oder der VO "Integrierte Schaltungstechnik" wäre wünschenswert, ist jedoch nicht Voraussetzung.
